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单轴低噪声MEMS加速度传感器PA-LAMI系列

PA-LASI系列冲击加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构,多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构,并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转,从而产生电压输出信号。

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  • PA-LASI系列冲击加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构,多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构,并提供一个克服加速度感应力的阻力,用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转,从而产生电压输出信号。 


  • 测量范围(g)

    ±2

    ±5

    ±10

    ±25

    ±50

    ±100

    ±200

    ±400

    频响(Hz)

    400

    600

    1000

    1500

    2000

    2500

    3000

    4000

    零g偏置电压(V)

    0±0.1 ①

    灵敏度②(mV/g)

    2000

    800

    400

    160

    80

    40

    20

    10

    满量程输出(V)③

    差分:±4V

    输出噪声(差分RMS,

    g/)

    5

    7

    10

    25

    50

    100

    200

    400

    交叉轴影响(%)

    <3

    偏置温漂

    (ppm of span)/°C

    2~5g

    100  ( -55 to +125°C全温范围内)

    10~200g

    50  ( -55 to +125°C全温范围内 )

    刻度因数温漂( ppm/°C)

    <±250 (-55 to +125°C  全温范围内)

    非线性度

    (% FR)

    2g ~200g

    ≤0.5

    400g

    ≤0.8

    供电要求

    供电电压(VDC)④

    ±15

    输入电流(mA)

    <10

    工作环境

    使用温度(°C)

    -55 to +125°C

    耐加速度0.1 ms

    20000g

    重量、体积

    重量(g)

    <30

    体积(mm?)

    28×28×16 或 35×35×25


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